型号: NVD5867NLT4G-TB01
功能描述: MOSFET NFET DPAK 60V 22A 39MOHM
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 43 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: NVD5867NL
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
商标: ON Semiconductor
下降时间: 2.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12.6 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18.2 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
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