型号:  NVD5867NLT4G-TB01

功能描述:  MOSFET NFET DPAK 60V 22A 39MOHM

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  22 A

Rds On-漏源导通电阻:  39 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  15 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  43 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

系列:  NVD5867NL

晶体管类型:  1 N-Channel Power MOSFET

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  2.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12.6 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  18.2 ns

典型接通延迟时间:  6.5 ns