NVD5890NLT4G规格参数_NVD5890NLT4G全国代理商/分销商

型号: NVD5890NLT4G
功能描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5890NLT4G, 123 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 123 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 5.5 m0hms
最大栅阈值电压： 2.5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型：表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 107 W
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 6.73mm
高度： 2.38mm
宽度： 6.22mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 84 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 4760 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 38 ns
典型接通延迟时间： 12 ns
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.38mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs