型号:  NVJD4401NT1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

RoHS：  符合 RoHS

标准包装数量：  3000

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  20 V

Id - C连续漏极电流：  0.63 A

Rds On - 漏-源电阻：  0.375 0hms

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-363-6

系列：  NTJD4401N

品牌：  ON Semiconductor

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  630mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  375 毫欧 @ 630mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  46pF @ 20V

功率 - 最大值：  270mW

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：  SC-88/SC70-6/SOT-363

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs