型号: NVJD4401NT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
RoHS: 符合 RoHS
标准包装数量: 3000
晶体管极性: N-Channel
Vds - 漏-源击穿电压: 20 V
Id - C连续漏极电流: 0.63 A
Rds On - 漏-源电阻: 0.375 0hms
安装风格: SMD/SMT
封装/外壳: SOT-363-6
系列: NTJD4401N
品牌: ON Semiconductor
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 630mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 375 毫欧 @ 630mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 46pF @ 20V
功率 - 最大值: 270mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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