型号:  NVMFD5C650NLWFT1G

功能描述:  MOSFET T6 60V LL S08FL DS

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  111 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.5 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  37 nC, 37 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  125 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  NVMFD5C650NL

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  120 S, 120 S

下降时间:  13 ns, 13 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  24 ns, 24 ns

工厂包装数量:  1500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  37 ns, 37 ns

典型接通延迟时间:  13 ns, 13 ns