型号: NVMFS5C430NLT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4300pF @ 20V
功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），110W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5 毫欧 @ 50A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 40V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 70nC @ 10V
漏源电压（Vdss）： 40V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
Vgs（最大值）： ±20V
供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：罗明
电话：13556641230
Q Q:
联系人：赵志刚
电话：13763212717
Q Q:
联系人：张靖杰
电话：15875801632
Q Q:
