型号: NXH80T120L2Q0S1G
功能描述: IGBT 模块 PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
技术: Si
产品: IGBT Silicon Modules
配置: T-Type
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V, 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.4 V, 2.05 V
在25 C的连续集电极电流: 49 A, 67 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA, 300 nA
Pd-功率耗散: 158 W
封装 / 箱体: Q0PACK
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: ON Semiconductor
安装风格: Press Fit
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
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