型号: PBRN113ES,126
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带盒（TB）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 800mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 1k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 1k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 180 @ 300mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 1.15V @ 8mA，800mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 700mW
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装： TO-92-3
其它名称： 934058999126PBRN113ES AMOPBRN113ES AMO-ND
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：胡培义
Q Q:
联系人：罗
电话：13006667022
Q Q:
