PBRN113ZT,215规格参数_PBRN113ZT,215全国代理商/分销商

型号: PBRN113ZT,215
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装：带卷（TR）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 1k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 10k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 500 @ 300mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 1.15V @ 8mA，800mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）
其它名称： 568-7255-2934058987215PBRN113ZT T/RPBRN113ZT T/R-NDPBRN113ZT,215-NDPBRN113ZT215