型号: PBSS306NZ
功能描述: 100 V, 5.1 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor
制造商: nxp
安装类型: 表面贴装
宽度: 3.7mm
封装类型: SC-73
尺寸: 1.7 x 6.7 x 3.7mm
引脚数目: 4
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 2000 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.05 V
最大直流集电极电流: 5.1 A
最大集电极-发射极电压: 100 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.3 V
最大集电极-基极电压: 100 V
最小直流电流增益: 30 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 110 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单双集电极
长度: 6.7mm
高度: 1.7mm
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