型号:  PBSS8110T

功能描述:   Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  NXP

集电极电流（ DC）（最大值）：  1 A

集电极 - 基极电压：  120 V

集电极 - 发射极电压：  100 V

发射极 - 基极电压：  5 V

频率（最大）：  100 MHz

功率耗散：  0.48 W

安装：  Surface Mount

工作温度范围：  -65C to 150C

包装类型：  TO-236AB

引脚数：  3

元件数：  1

直流电流增益（最小值）：  150

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  NPN

封装：  Tape and Reel

频率：  100 MHz

直流电流增益：  150

集电极电流（DC ）：  1 A

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :100V

功耗：  :300mW

DC Collector Current：  :1A

DC Current Gain hFE：  :150

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：  :120V

连续集电极电流Ic最大：  :1A

Current Ic @ Vce Sat：  :500A

Current Ic Continuous a Max：  :1A

Current Ic hFE：  :1mA

Full Power Rating Temperature：  :25°C

Gain Bandwidth ft Min：  :100MHz

Gain Bandwidth ft Typ：  :100MHz

Hfe Min：  :80

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max：  :480mW

Voltage Vcbo：  :120V

Weight (kg)：  0.000008

Tariff No.：  85412900