型号: PBSS8110Y
功能描述: 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
制造商: nxp
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.35mm
封装类型: UMT
尺寸: 1 x 2.2 x 1.35mm
引脚数目: 6
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 625 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.05 V
最大直流集电极电流: 1 A
最大集电极-发射极电压: 100 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.2 V
最大集电极-基极电压: 120 V
最小直流电流增益: 80 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 100 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单四集电极
长度: 2.2mm
高度: 1mm
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