型号:  PBSS8110Z

功能描述:   TRANSISTOR, NPN, SOT-223

制造商:  NXP

晶体管极性：  :NPN

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :100V

功耗：  :650mW

DC Collector Current：  :1A

DC Current Gain hFE：  :150

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-223

No. of Pins：  :4

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：  :40mV

连续集电极电流Ic最大：  :1A

Current Ic Continuous a Max：  :1A

Current Ic hFE：  :1mA

Full Power Rating Temperature：  :25°C

Gain Bandwidth ft Typ：  :100MHz

Hfe Min：  :80

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max：  :2W

Voltage Vcbo：  :120V

Weight (kg)：  0.000011

Tariff No.：  85412100