PD55035STR-E规格参数_PD55035STR-E全国代理商/分销商

型号: PD55035STR-E
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
增益: 16.9 dB
输出功率: 35 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-10RF-Straight-4
封装: Reel
配置: Single
高度: 3.5 mm
长度: 7.5 mm
工作频率: 1 GHz
系列: PD55035-E
类型: RF Power MOSFET
宽度: 9.4 mm
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 95 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
单位重量: 3 g