型号: PD57060-E
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 14.3 dB
输出功率: 60 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-10RF-Formed-4
封装: Tube
配置: Single
高度: 3.5 mm
长度: 7.5 mm
工作频率: 1 GHz
系列: PD57060S-E
类型: RF Power MOSFET
宽度: 9.4 mm
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 79 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
单位重量: 3 g
联系人:朱小姐
电话:13652405995
联系人:赵伟滨
电话:19926488141
Q Q:
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:刘先生
电话:18390902447
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:陈欣
电话:13725554160
联系人:Alien
联系人:刘嘉
电话:18098935693
联系人:吴先生
电话:17620467121
联系人:彭小姐
电话:15813714218