型号:  PDTB123YT

功能描述:   BJT, 50V 0.5A,SOT23

制造商:  NXP

配置：  Single

外形尺寸：  3 x 1.4 x 1.1mm

身高：  1.1mm

长度：  3mm

最大集电极发射极饱和电压：  -0.3 V

最大集电极发射极电压：  -50 V

最大基地发射极电压：  -5 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  250 mW

最小直流电流增益：  70

最低工作温度：  -65 °C

安装类型：  Surface Mount

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  SOT-23

引脚数：  3

晶体管类型：  PNP

典型输入电阻：  2.2 kΩ

典型电阻器比率：  4.55

宽度：  1.4mm

晶体管极性：  :PNP

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :50V

功耗：  :250mW

DC Collector Current：  :50mA

DC Current Gain hFE：  :70

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：  :300mV

连续集电极电流Ic最大：  :500mA

Current Ic Continuous a Max：  :50mA

Hfe Min：  :70

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

封装：  :Cut Tape

Resistance R1：  :2.2kohm

Resistance R2：  :10kohm

端接类型：  :SMD

Weight (kg)：  0.00001

Tariff No.：  85412900

associated：  RE901