型号: PDTD113ZT
功能描述: NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
制造商: nxp
典型电阻比: 0.1
典型输入电阻器: 1 k
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.4mm
封装类型: TO-236AB
尺寸: 3 x 1.4 x 1mm
引脚数目: 3
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -65 °C
最大发射极-基极电压: 5 V
最大连续集电极电流: 500 mA
最大集电极-发射极电压: 50 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.3 V
最小直流电流增益: 70
最高工作温度: +150 °C
配置: 单
长度: 3mm
高度: 1mm
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