型号: PHB101NQ04T,118
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 800
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 36.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2020pF @ 25V
功率 - 最大值： 157W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
其它名称： 568-2182-2934058559118PHB101NQ04T /T3
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：DANNY
Q Q:
联系人：于简
电话：13632927780
Q Q:
联系人：刘丽君
Q Q:
