型号: PHD14NQ20T,118
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 230 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1500pF @ 25V
功率 - 最大值： 125W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： DPAK
其它名称： 934057072118PHD14NQ20T /T3PHD14NQ20T /T3-ND
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：罗先生
电话：18575507915
Q Q:
联系人：闫先生
电话：13418610926
Q Q:
联系人：陈祥贵
电话：17666128271
Q Q:
