型号: PHU101NQ03LT
功能描述: MOSFET RAIL PWR-MOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 166 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 33 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 75
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
零件号别名: PHU101NQ03LT,127
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：王先生，王小姐
Q Q:
联系人：林生
电话：13430931308
Q Q:
联系人：曹先生
电话：13487865852
Q Q:
