型号:  PMBFJ108.215

功能描述:   Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

标准包装：  3,000

当前 - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)：  80mA @ 15V

漏极至源极电压（VDSS）：  25V

当前 Drain (Id) - Max：  -

FET 型 ：  N-Channel

- 击穿电压 (V(BR)GSS)：  25V

电压 - Cutoff (VGS off) @ Id：  10V @ 1µA

输入电容（Ciss）@ Vds的：  30pF @ 10V (VGS)

电阻 - RDS（ON）：  8 Ohm

安装类型 ：  Surface Mount

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

功率 - 最大：  250mW

动态目录：  N-Channel JFETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-jfets/17187?mpart=PMBFJ108,215&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  3TO-236AB

配置：  Single

最大漏源电压：  25 V

最大门源电压：  -25 V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

供应商封装形式：  TO-236AB

最大门源电压：  -25

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOT-23

包装高度：  1(Max)

最大功率耗散：  250

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

包装宽度：  1.4(Max)

最大漏极栅极电压：  -25

PCB：  3

包装长度：  3(Max)

最低工作温度：  -65

最大漏源电压：  25

引脚数：  3

铅形状：  Gull-wing

电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ）：  25V

安装类型：  Surface Mount

电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ）：  80mA @ 15V

电阻 - RDS（ON）：  8 Ohm

供应商设备封装：  SOT-23-3

电压 - 切断（VGS关）@ Id：  10V @ 1µA

FET型：  N-Channel

功率 - 最大：  250mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

漏极至源极电压（Vdss）：  25V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  30pF @ 10V (VGS)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-2078-1

外形尺寸：  3 x 1.4 x 1mm

身高：  1mm

长度：  3mm

最大漏极栅极电压：  -25V

最大漏源电阻：  8 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  TO-236AB

宽度：  1.4mm

工厂包装数量：  3000

漏源电压VDS：  25 V

产品种类：  JFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  - 25 V

安装风格：  SMD/SMT

零件号别名：  PMBFJ108 T/R

RoHS：  RoHS Compliant

栅源电压（最大值）：  25 V

工作温度（最大）：  150C

工作温度分类：  Military

漏栅极电压（最大值）：  -25 V

漏源电压（最大值）：  25 V

弧度硬化：  No

工作温度（最小值）：  -65C

晶体管类型：  :JFET

Breakdown Voltage Vbr：  :-25V

Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max：  :80mA

Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max：  :-3V

功耗：  :250mW

Operating Temperature Min：  :-65°C