型号:  PMBFJ110,215

功能描述:  PMBFJ110 Series 25 V 10 mA SMT N-Channel junction FETs - SOT-23-3

制造商:  NXP Semiconductors

FET类型：  N 沟道

漏源电压（Vdss）：  25V

不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：  10mA @ 15V

不同Id时的电压-截止（VGS关）：  4V @ 1µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  30pF @ 10V（VGS）

电阻-RDS（开）：  18 欧姆

功率-最大值：  250mW

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-23（TO-236AB）

FET 类型：  N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：  25V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：  10mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：  4V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  30pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：  18 Ohms

功率 - 最大值：  250mW

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23（TO-236AB）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs