型号: PMBFJ112,215
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
FET类型： N 沟道
漏源电压（Vdss）： 40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）： 5mA @ 15V
不同Id时的电压-截止（VGS关）： 5V @ 1µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6pF @ 10V（VGS）
电阻-RDS（开）： 50 欧姆
Power-Max： 300mW
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23（TO-236AB）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 5mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）： 50 Ohms
功率 - 最大值： 300mW
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：曾舒媚
Q Q:
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电话：13430590551
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