型号: PMCXB900UEZ
功能描述: MOSFET 20 V, complementary N/P-channel Trench
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-1010B-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 600 mA, 500 mA
Rds On-漏源导通电阻: 470 mOhms, 1.02 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV, 950 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 700 pC, 2.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 380 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: Nexperia
正向跨导 - 最小值: 1 S, 480 mS
下降时间: 51 ns, 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.2 ns, 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 19 ns, 13.5 ns
典型接通延迟时间: 5.6 ns, 2.3 ns
单位重量: 1.200 mg
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