型号:  PMCXB900UEZ

功能描述:  MOSFET 20 V, complementary N/P-channel Trench

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-1010B-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  600 mA, 500 mA

Rds On-漏源导通电阻:  470 mOhms, 1.02 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV, 950 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  700 pC, 2.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  380 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Nexperia

正向跨导 - 最小值:  1 S, 480 mS

下降时间:  51 ns, 6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9.2 ns, 5 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns, 13.5 ns

典型接通延迟时间:  5.6 ns, 2.3 ns

单位重量:  1.200 mg