型号: PMDPB70EN,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.5A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 57 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 130pF @ 15V
功率 - 最大值: 510mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-DFN2020(2x2)
其它名称: 568-10761-2934066486115PMDPB70EN,115-ND
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:刘嘉
电话:18098935693
联系人:朱先生
电话:13480936346
联系人:林
电话:15002093329