型号:  PMDXB550UNEZ

功能描述:  MOSFET 30V Dual N-Channel Trench MOSFET

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-1010B-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  590 mA

Rds On-漏源导通电阻:  670 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  1.05 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  4.03 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Nexperia

正向跨导 - 最小值:  600 mS

下降时间:  3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12 ns

典型接通延迟时间:  4 ns

单位重量:  1.290 mg