型号: PMGD8000LN,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 125mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 0.35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 18.5pF @ 5V
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： 6-TSSOP
其它名称： 568-2370-2934057621115PMGD8000LN T/R
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