型号: PMN23UN,135
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 10,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 28 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 10.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 740pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.75W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
供应商器件封装： 6-TSOP
其它名称： 568-7416-2934058058135PMN23UN /T3PMN23UN /T3-NDPMN23UN,135-ND
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Michael
Q Q:
联系人：杨R
电话：18923785673
Q Q:
联系人：曾
电话：15814611016
Q Q:
