型号: PMN27XPE,115
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1770pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 530mW（Ta），8.33W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 30 毫欧 @ 3A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-TSOP
封装/外壳： SC-74，SOT-457
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：康先生
电话：15830690676
Q Q:
联系人：杨小姐
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15307553891
Q Q:
