型号: PMN35EN,115
功能描述: Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN35EN,115, 5.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
制造商: Nexperia
通道类型： N
最大连续漏极电流： 5.1 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 31 m0hms
最大栅阈值电压： 2.5V
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TSOP
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 6
通道模式： 增强
最大功率耗散： 4.17 W
典型栅极电荷@Vgs： 6.2 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 334 pF @ 15 V
典型关断延迟时间： 53 ns
典型接通延迟时间： 4 ns
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 1.7mm
最高工作温度： +150 °C
长度： 3.1mm
高度： 1mm
尺寸： 3.1 x 1.7 x 1mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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