型号: PMV30UN2R
功能描述: MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 6.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel Trench MOSFET
商标: Nexperia
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 27 mg
联系人：肖瑶，树平
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