型号: PMV30XN,215
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 7.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 420pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 380mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 35 毫欧 @ 3.2A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-236AB（SOT23）
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 15V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：朱和西
电话：15814080130
Q Q:
联系人：何金辉
电话：18923411177
Q Q:
联系人：胡
电话：13380343102
Q Q:
