型号: PMV31XN.215
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin TO-236AB T/R
制造商: nxp semiconductors
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 3,000
FET 型 : MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点: Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS): 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 5.9A
Rds(最大)@ ID,VGS: 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id: 1.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: 5.8nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的: 410pF @ 20V
功率 - 最大: 2W
安装类型 : Surface Mount
包/盒 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
包装材料 : Tape & Reel (TR)
包装: 3TO-236AB
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 20 V
最大连续漏极电流: 5.9 A
RDS -于: 37@4.5V mOhm
最大门源电压: 12 V
典型导通延迟时间: 10 ns
典型上升时间: 15 ns
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型下降时间: 12 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Tape & Reel
最大门源电压: 12
包装宽度: 1.4(Max)
PCB: 3
最大功率耗散: 2000
最大漏源电压: 20
欧盟RoHS指令: Compliant
最大漏源电阻: 37@4.5V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: TO-236AB
标准包装名称: SOT-23
最高工作温度: 150
渠道类型: N
包装长度: 3(Max)
引脚数: 3
包装高度: 1(Max)
最大连续漏极电流: 5.9
封装: Tape and Reel
铅形状: Gull-wing
FET特点: Logic Level Gate
安装类型: Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C: 5.9A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id: 1.5V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss): 20V
供应商设备封装: SOT-23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS: 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET型: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大: 2W
输入电容(Ciss ) @ VDS: 410pF @ 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS: 5.8nC @ 4.5V
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令: Lead free / RoHS Compliant
其他名称: 568-2354-1
类别: Power MOSFET
配置: Single
外形尺寸: 3 x 1.4 x 1mm
身高: 1mm
长度: 3mm
最大漏源电阻: 0.037 Ω
最高工作温度: +150 °C
最大功率耗散: 2 W
最低工作温度: -55 °C
包装类型: TO-236AB
典型栅极电荷@ VGS: 5.8 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS: 410 pF V @ 20
宽度: 1.4mm
工厂包装数量: 3000
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
源极击穿电压: +/- 12 V
连续漏极电流: 5.9 A
安装风格: SMD/SMT
RDS(ON): 37 mOhms
功率耗散: 2 W
封装/外壳: TO-236AB
零件号别名: PMV31XN T/R
上升时间: 15 ns
漏源击穿电压: 20 V
RoHS: RoHS Compliant
下降时间: 12 ns
栅源电压(最大值): 12 V
漏源导通电阻: 0.037 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:林先生
电话:15913992480
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:王
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Q Q:
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