型号: PMXB360ENEA
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
特色产品： DFN1010 Transistors in a 1.1 mm² Leadless Plastic Package
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 450 毫欧 @ 1.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 130pF @ 40V
功率 - 最大值： 400mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 3-DFN（1.1x1）
其它名称： 568-10945-2934067475147
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