型号:  PMZ370UNEYL

功能描述:  MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-1006-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  900 mA

Rds On-漏源导通电阻:  370 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  770 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  770 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  360 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.5 mm

长度:  1.02 mm

产品:  MOSFET

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Trench MOSFET

宽度:  0.62 mm

商标:  Nexperia

正向跨导 - 最小值:  1580 mS

下降时间:  27 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  54 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

单位重量:  0.800 mg