型号:  PMZ390UN.315

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  10,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1.78A

Rds（最大）@ ID，VGS：  460 mOhm @ 200mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  950mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  0.89nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  43pF @ 25V

功率 - 最大：  2.5W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-101, SOT-883

供应商器件封装：  SOT-883

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DFN

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  1.78 A

RDS -于：  460@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±8 V

典型导通延迟时间：  4 ns

典型上升时间：  7.5 ns

典型关闭延迟时间：  18 ns

典型下降时间：  4.5 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±8

包装宽度：  0.62(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  2500

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  460@4.5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  DFN

标准包装名称：  DFN

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  1.02(Max)

引脚数：  3

包装高度：  0.47(Max)

最大连续漏极电流：  1.78

封装：  Tape and Reel

铅形状：  No Lead

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.78A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  950mV @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

供应商设备封装：  SOT-883

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  460 mOhm @ 200mA, 4.5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2.5W

输入电容（Ciss ） @ VDS：  43pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  0.89nC @ 4.5V

封装/外壳：  SC-101, SOT-883

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-7442-1

类别：  Power MOSFET

配置：  Single

外形尺寸：  1.02 x 0.62 x 0.47mm

身高：  0.47mm

长度：  1.02mm

最大漏源电阻：  0.46 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  2.5 W

最低工作温度：  -55 °C

包装类型：  SOT-883

典型栅极电荷@ VGS：  0.89 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS：  43 pF V @ 25

宽度：  0.62mm

工厂包装数量：  10000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  +/- 8 V

连续漏极电流：  1.78 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  460 mOhms

功率耗散：  2.5 W

封装/外壳：  SC-101

零件号别名：  PMZ390UN T/R

上升时间：  7.5 ns

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  4.5 ns

栅源电压（最大值）：  �8 V

漏源导通电阻：  0.46 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1