型号:  PMZ600UNEYL

功能描述:  MOSFET Trench Mosfet 20V, N-channel

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-1006-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  600 mA

Rds On-漏源导通电阻:  470 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  400 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  715 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Nexperia

正向跨导 - 最小值:  1 S

下降时间:  51 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9.2 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns

典型接通延迟时间:  5.6 ns

单位重量:  0.850 mg