型号: PNMT30V6
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道
制造商: Prisemi 芯导
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.8A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 40mΩ @ 5.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：胡子豪
电话：13760425483
Q Q:
联系人：刘小姐，陈先生
电话：13260236838
Q Q:
联系人：李卫军
电话：18600323063
Q Q:
