型号: PSMN2R6-40YS,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
特色产品： LFPAK Trench 6 MOSFETs
标准包装： 1,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3776pF @ 12V
功率 - 最大值： 131W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装： LFPAK56，Power-SO8
其它名称： 568-4906-2934063932115PSMN2R640YS115
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