型号: PSMN9R0-30YL
功能描述: N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
制造商: NXP (恩智浦)
封装: LFPAK
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 30.0 V
连续漏极电流(Ids): 55.0 A
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Not Listed by Manufacturer
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