型号: PTAB182002FC-V1-R250
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms
增益: 15.5 dB
输出功率: 190 W
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H-37248-4
封装: Reel
工作频率: 1805 MHz to 1880 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Wolfspeed / Cree
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
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