型号: PTFA091201GLV1
功能描述: Transistors RF MOSFET Power RFP-LD EPOC
制造商: Infineon Technologies
Status： Active
产品种类： Transistors RF MOSFET Power
RoHS： RoHS Compliant
配置： Single
晶体管极性： N-Channel
频率： 920 MHz to 960 MHz
增益： 18.5 dB
输出功率： 120 W
漏源击穿电压： 65 V
连续漏极电流： 750 mA
源极击穿电压： 12 V
最高工作温度： + 150 C
封装/外壳： PG-63248-2
封装： Tray
安装风格： SMD/SMT
功率耗散： 625 W
寿命： Obsolete
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13417122760
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13693391815
Q Q:
联系人：李重金
电话：13110803697
Q Q:
联系人：陈阳
电话：13128984988
Q Q:
