型号:  PUMD10.125

功能描述:   Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

电阻 - 基地（R1）（欧姆）：  2.2k

电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：  47k

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 10mA, 5V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  100mV @ 250µA, 5mA

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

频率转换：  -

功率 - 最大：  200mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装：  6-TSSOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6TSSOP

配置：  Dual

类型：  NPN|PNP

最大集电极发射极电压：  50 V

峰值直流集电极电流：  100 mA

最小直流电流增益：  100@10mA@5V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  2.2k

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  100mV @ 250µA, 5mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  6-TSSOP

封装：  Tape & Reel (TR)

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：  47k

功率 - 最大：  200mW

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 10mA, 5V

其他名称：  934055239125

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

集电极 - 发射极电压：  50 V

包装类型：  SOT-363

引脚数：  6

直流电流增益：  100

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  NPN/PNP