型号: QPD1003
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19.9 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 15 A
输出功率: 540 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 370 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: RF-565
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: QPD
商标: Qorvo
开发套件: QPD1003PCB401
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V
零件号别名: 1131389
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