型号: QPD1004SR
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 20.8 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
输出功率: 40 W
最大漏极/栅极电压: 55 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 27.6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-8
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 30 MHz to 1200 MHz
系列: QPD1004
商标: Qorvo
正向跨导 - 最小值: -
开发套件: QPD1004EVB1
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
零件号别名: QPD1004
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