型号: QPD1010
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 24.7 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
输出功率: 11 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 13.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-16
封装: Waffle
配置: Single
工作频率: 4 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: QPD
商标: Qorvo
开发套件: QPD1010-EVB1
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V
零件号别名: 1132873
单位重量: 2.300 g
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