型号:  QPD1013SR

功能描述:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

制造商:  Qorvo

制造商:  Qorvo

产品种类:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管类型:  HEMT

技术:  GaN SiC

增益:  21.8 dB

晶体管极性:  N-Channel

Id-连续漏极电流:  1.7 A

输出功率:  178 W

最大漏极/栅极电压:  65 V

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 85 C

Pd-功率耗散:  67 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-6

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

应用:  Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications

配置:  Single Triple Drain

工作频率:  1.2 GHz to 2.7 GHz

商标:  Qorvo

开发套件:  QPD1013EVB01

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF JFET Transistors

工厂包装数量:  100

子类别:  Transistors