型号: QPD1013SR
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 21.8 dB
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 1.7 A
输出功率: 178 W
最大漏极/栅极电压: 65 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 67 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-6
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
应用: Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置: Single Triple Drain
工作频率: 1.2 GHz to 2.7 GHz
商标: Qorvo
开发套件: QPD1013EVB01
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
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