型号: QPD1017
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制： 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 15.7 dB
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 20 A
输出功率: 460 W
最大漏极/栅极电压: 55 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 511 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置: Single
工作频率: 3.1 GHz to 3.5 GHz
商标: Qorvo
开发套件: QPD1017PCB4B01
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蒋敏姝
电话：13715227394
Q Q:
联系人：李燕娜
Q Q:
联系人：陈生
电话：13510133095
Q Q:
