型号: QPD1025
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: GaN SiC
Id-连续漏极电流: 28 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 22.5 dB
输出功率: 1.862 kW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装 / 箱体: NI-1230-4
封装: Tray
工作频率: 1 GHz to 1.1 GHz
系列: QPD
类型: RF Power MOSFET
商标: Qorvo
通道数量: 2 Channel
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 685 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 18
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 2.8 V
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：谭
电话：15575676119
Q Q:
联系人：周运洁
电话：13410377936
Q Q:
联系人：黄海洋
电话：13725501517
Q Q:
