型号: QPD1020SR
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: GaN SiC
Id-连续漏极电流: 100 mA
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
增益: 18.4 dB
输出功率: 31 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-8
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 2.7 GHz to 3.5 GHz
类型: RF Small Signal MOSFET
商标: Qorvo
通道数量: 1 Channel
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 30 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 2.8 V
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
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