型号: QPD1022SR
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 24 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.8 V
Id-连续漏极电流: 610 mA
输出功率: 10 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 13.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-16
封装: Reel
工作频率: DC to 12 GHz
系列: QPD1022
商标: Qorvo
开发套件: QPD1022EVB01
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
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